檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "趙崇禮".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="材料移除率"
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單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC),具有高崩潰電壓(High Breakdown Voltage)及低的阻抗, 因此在高功率元件市場的潛力無窮,但單晶碳化矽基板也因高硬度及高…
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單晶碳化矽因材料特性上擁有多項優點,於功率元件市場中備受重視,然而其高硬度及耐化學性質造成基板製造之困難,本研究分別從磨料移除材料和線網運動觀點分析複線式鑽石線鋸加工製程(Multi-wire di…
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在半導體積體電路製程中,局部拋光液膜中奈米粒子磨粒之動能在化學機械拋光過程中扮演重要角色。本研究使用電致動力技術 (Electro-Kinetic Force, EKF)配合高精密拋光機,利用電雙層…